根據(jù)Wind數(shù)據(jù)，半導體設備ETF（159516）盤中流入3300萬份，凈流入700萬份，資金搶籌布局。

相關機構表示，近期，長江存儲三期正式注冊成立，若項目正式投產(chǎn)，長江存儲的產(chǎn)能將實現(xiàn)跨越式增長，計劃力爭到2026年底占據(jù)全球NAND閃存供應量的15%。而在存儲擴產(chǎn)的必然趨勢下，設備作為擴產(chǎn)的前置環(huán)節(jié)，迎來重要機遇窗口。例如，3D堆疊存儲快速發(fā)展，為提升存儲密度，將存儲單元垂直堆疊，目前主流產(chǎn)品已超過200層，未來還將向1000層邁進，這使得對刻蝕設備的需求量和性能要求呈指數(shù)級增長，同時堆疊層數(shù)增加的同時每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD與CVD協(xié)同工藝成為主流，這都對薄膜沉積設備提出了更高要求。

隨著“十五五”規(guī)劃提出，科技自主可控成為重點工作目標，國產(chǎn)算力板塊有望成為市場主線，同時持續(xù)看好AI浪潮下的存儲周期和消費電子的創(chuàng)新周期。

半導體設備ETF（159516）跟蹤的是半導體材料設備指數(shù)（931743），該指數(shù)聚焦于半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料與設備領域，選取從事半導體材料研發(fā)、生產(chǎn)以及半導體設備制造的上市公司證券作為指數(shù)樣本，以反映半導體產(chǎn)業(yè)核心基礎環(huán)節(jié)的整體表現(xiàn)。作為科技投資的重要風向標，該指數(shù)具有顯著的技術壁壘和成長性特征，能夠有效追蹤半導體產(chǎn)業(yè)關鍵支撐領域的發(fā)展動態(tài)。

注：如提及個股僅供參考，不代表投資建議。指數(shù)/基金短期漲跌幅及歷史表現(xiàn)僅供分析參考，不預示未來表現(xiàn)。市場觀點隨市場環(huán)境變化而變動，不構成任何投資建議或承諾。文中提及指數(shù)僅供參考，不構成任何投資建議，也不構成對基金業(yè)績的預測和保證。如需購買相關基金產(chǎn)品，請選擇與風險等級相匹配的產(chǎn)品?；鹩酗L險，投資需謹慎。